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1.SRAM（静态RAM）

把存放一个二进制位的物理器件称为存储元，它是存储器最基本的构件。

地址码相同的多个存储元构成一个存储单元。

存储单元的集合构成存储体。

静态RAM的存储元是用双稳态触发器（六晶体管MOS）来记忆信息的，因此记忆被读出后，它仍保持其原状态而不需要刷新；这种读特性被称为“被破坏性读出”。

       SRAM的集成度低，但存期速度快。功耗大，价格高，一般用来做Chche。

2.DRAM(动态RAM)

动态RAM通过电容的充放电来读写信息

牺牲速度，提高集成度。

读操作：红线为行列选择；绿线为电容放电，之后通过橘色的线导出到IO缓冲器。 

读写--重生放大器通过通过高电平，给电容充电。 

写入数据： 

 

3.DRAM的刷新 

由于电容上的电荷只能维持1-2ms，因此即使电源不掉电，信息也会自动小时。为此，我么们必须在2ms内对所有存储单元恢复一次原状态，这个过程称为刷新。

刷新的过程，实质其实是先读出原存信息，然后刷新放大器再重新写入的过程。

由于存储单元是被随机访问的，那么必然就会导致有的存储单元一直不会被访问，因此其存储的原信息就会慢慢消失。

所以，我们规定在一定的时间内，必须对DRAM的全部基本单元做一次刷新，这个时间叫做刷新周期，一般取2ms

1.集中刷新

在规定的一个刷新周期内，对全部存储单元集中一段时间进行逐行刷新；刷新时必须停止读写操作

2.分散刷新

对每行存储单元的刷新，分散到每个存储周期内完成。

这样，每个存储周期都分成了两段；前半段用来进行读写操作或者维持信息，后半段用来刷新。

3.异步刷新

 4.DRAM和SRAM

随着DRAM的容量不断扩大，速度也不断提高，它的应用要比SRAM更加广泛。DRAM主要用于主存，而SRAM通常用于缓存中。